三星又推第二代3nm工艺 面积缩小21% 你知道吗？

三星宣布第二代3nm工艺2024年量产

三星半导体业务高管前几天表态要用5年时间赶超台积电，实现这个目标就离不开先进工艺，去年6月份三星就宣布全球首发3nm GAA工艺，日前该公司又推出了第二代3nm工艺，预计在2024年量产。

三星的3nm工艺很激进，相比台积电2nm工艺才会转向GAA晶体管的保守，三星在第一代3nm工艺上就使用了GAA晶体管技术，而且是MBCFET多桥通道场效应晶体管，被称为SF3E，也就是3GAE工艺。

这次宣布的是SF3工艺，也就是之前的3GAP高性能工艺，三星提到该工艺相比SF4(4nm LPP)工艺，在相同功耗及晶体管密度下速度提升22%，或者功耗降低34%，面积缩小21%。

这个提升幅度很大，但是三星对比的是二代3nm与4nm，没有直接提及两代3nm工艺之间的变化。

根据三星公布的路线图，SF3工艺预计在2024年量产，之后还会有增强版的SF3P，也就是3GAP+，2025年量产。

再往后还有2nm节点的SF2、SF2P工艺，2027年甚至连1.4nm节点的SF1.4工艺也规划好了。

关键词： 三星芯片 存储器产业 存储行业发展前景 存储行业市场分析